A váltási sebesség magas a MOSFET vagy a BJT esetében?
A MOSFET gyorsabb váltási sebességének okai:
* Alacsonyabb bemeneti kapacitás: A MOSFET -ek kapu -oxidréteggel rendelkeznek, amely szigetelőként működik, ami alacsonyabb bemeneti kapacitást eredményez a BJT -khez képest. Ez az alacsonyabb kapacitás lehetővé teszi a kapu gyorsabb töltését és kiürítését, ami gyorsabb váltáshoz vezet.
* Magasabb kapcsolási frekvencia: A MOSFET -ek alacsonyabb kapacitásuk és gyorsabb váltási sebességük miatt magasabb frekvencián működhetnek, mint a BJT -k.
* Alacsonyabb az ellenállás: A MOSFET-ek alacsonyabb ellenállási képességgel bírnak, ami kevesebb energiaeloszlás és gyorsabb váltást jelent.
* Nincs kisebbségi hordozó tárolás: A MOSFET -eknek nincs kisebbségi hordozó tároló hatása, amely lelassíthatja a BJT -k váltását.
* Alacsonyabb telítettségi feszültség: A MOSFET -ek alacsonyabb telítettségi feszültséggel bírnak a BJT -khez képest, lehetővé téve a gyorsabb váltási átmeneteket.
Vannak azonban olyan helyzetek, amikor a BJT -k gyorsabb váltási sebességgel rendelkezhetnek:
* Alacsony teljesítményű alkalmazások: Alacsony teljesítményű alkalmazások esetén a BJT -k alacsonyabb kapacitásuk és alacsonyabb teljesítményű eloszlásuk miatt gyorsabb váltási sebességgel rendelkezhetnek.
* Magas áramú alkalmazások: Nagy áramú alkalmazásokban a BJT -knél gyorsabb váltási sebesség lehet, mivel magasabb áram kezelési képességeik vannak.
Általában véve a MOSFET-eket részesítik előnyben a nagysebességű váltási alkalmazásoknál, míg a BJT-k jobban alkalmasak alacsony teljesítményű és nagy áramú alkalmazásokra, ahol a váltási sebesség nem kritikus tényező.
Következtetés:
Míg mind a MOSFET-ek, mind a BJT-ket az alkalmazások váltásához használják, a MOSFET-k általában gyorsabb váltási sebességet kínálnak alacsonyabb bemeneti kapacitásuk, magasabb kapcsolási frekvenciájuk, alacsonyabb ellenállásuk és a kisebbségi hordozó tárolásának hiánya miatt. Konkrét forgatókönyvekben azonban a BJT -k gyorsabb váltási sebességgel rendelkezhetnek, különösen alacsony teljesítményű és nagy áramú alkalmazásokban.