Mekkora a FET erősítő feszültségerősítése?

A FET-erősítő feszültségnövekedését számos tényező határozza meg, többek között:

* Transzconduktancia (gm): Ez annak mértéke, hogy a kimeneti áram mennyit változik a bemeneti feszültség adott változása esetén. A magasabb gm nagyobb nyereséghez vezet.

* Teherellenállás (RL): A FET kimenetére csatlakoztatott ellenállás. A magasabb RL nagyobb nyereséghez vezet.

* Belső ellenállás (rds): Ez magának a FET-nek az ellenállása, ami korlátozhatja az erősítést.

A FET erősítő feszültségnövekedése a következő képlettel közelíthető:

Av ≈ gm * RL

Ahol:

* Av =feszültségerősítés

* gm =transzkonduktancia

* RL =terhelési ellenállás

Fontos megfontolások:

* Bemeneti ellenállás: A FET-eknek nagyon nagy bemeneti impedanciája van, ami azt jelenti, hogy nagyon kevés áramot vesznek fel a forrásjelből. Ez ideálissá teszi őket a jelek erősítésére a forrás betöltése nélkül.

* Gyakori válasz: A FET erősítő erősítése a frekvenciától függően változhat. Az áramkörben lévő kapacitív hatások miatt az erősítés magas frekvenciákon elgurul.

* Elfogultság: A FET torzítási pontja is befolyásolhatja az erősítést. A megfelelő előfeszítés biztosítja, hogy a FET a lineáris tartományban működjön az optimális erősítés érdekében.

Példa:

Tegyük fel, hogy egy FET transzkonduktanciája 2 mS (milliSiemens), és 10 kΩ (kiloOhm) terhelési ellenállásra van csatlakoztatva. A hozzávetőleges feszültségerősítés a következő lenne:

Av ≈ 2 mS * 10 kΩ =20

Ez azt jelenti, hogy a kimeneti feszültség körülbelül 20-szor nagyobb, mint a bemeneti feszültség.

Megjegyzés: Ez egy egyszerűsített közelítés. A FET-erősítők tényleges feszültségnövekedését olyan tényezők befolyásolják, mint a FET belső ellenállása, az előfeszítési feltételek és az adott áramkör konfigurációja.