Típusai Transistor torzítás

A tranzisztor egy félvezető használt erősítő vagy kapcsolási elektromos jeleket. A tranzisztor három terminál kapcsolódni egy külső áramkörön . Az előfeszítő torzítás pont a kimenetén az egyenáramú emitter feszültség és az áram által vezérelt tranzisztor. Torzító hálózatokat használni, ha áramkörök készülnek diszkrét áramköri készülékek . Vannak különböző típusú tranzisztor előfeszítő , itt részletezett . Bipolar Transistor előfeszítése

típusú bipoláris tranzisztor torzító egy erősítő . Bipoláris tranzisztor erősítők kell elfogult működés érdekében . Osztályú erősítők , akkor különböző típusú elfogultság áramkörök , például a rögzített elfogultság , adó elfogultság és gyűjtő stabilizált torzító áramkör .
Bipoláris tranzisztor torzítás

a bipoláris tranzisztor , az elfogultság pontja lehetővé teszi, hogy a tranzisztor működik aktív módban . A torzítás pont stabilizálja az aktuális és a Q - pont DC feszültséget . Az elfogultság pontja határozza meg az üzemi pont ( torzító ), akkor nem mozgathatja a tranzisztor bármilyen helyzetben .
RF tranzisztorok torzítás

teljesítmény tranzisztort tartalmaz két összetevőt egy félvezető meghalni. Meg kell elfogultság a két tranzisztor alkatrészeket. Egy hálózati párok tranzisztor komponens terminálok a közepén egy talaj és egy előfeszítő feszültség . Egy tranzisztor komponens elfogult első , A osztály működését. Egy másik tranzisztor komponens elfogult a második , B osztály működését.
Térvezérlésű tranzisztorok torzítás

kell elfogultság a térvezérlésű tranzisztor két feszültség . Az egyik elektród polarizált kell egy előfeszített keresztül feszültség tranzisztor. A tranzisztor kell lennie telítődő terhelés működés . A telítődő terhelés kapuja és a fő tranzisztor gate köti össze és támogatja a két elfogultság feszültség . A telítődő terhelés a gate feszültség követi a fő tranzisztor feszültségét .
Oldalsó Teljesítmény tranzisztor torzítás

oldalsó teljesítmény tranzisztort tartalmaz egy eltolódás régiót és egy jól régióban. Mindkét régió tartalmaz nagy mennyiségű szilícium . Helyezze a második szilícium terület oldalirányban jól régióban. A torzító a tranzisztor , áram folyik át a drift régió oldalsó helyzetben a két szilikon régióban.